Der Flat-Panel-Detektor ist ein Schlüsselgerät im Bereich der modernen medizinischen Bildgebung, mit dem die Energie von Röntgenstrahlen in elektrische Signale umgewandelt und digitale Bilder für die Diagnose erzeugt werden können. Gemäß den verschiedenen Materialien und Arbeitsprinzipien sind Flat -Panel -Detektoren hauptsächlich in zwei Arten unterteilt: amorphe Selen -Flachfilmerdetektoren und amorphe Silizium -Flachfilmerdetektoren.
Amorphes Selen -Flachkapitor Detektor
Der amorphe Selenium -Flachfelddetektor übernimmt eine direkte Umwandlungsmethode, und seine grundlegenden Komponenten umfassen eine Kollektormatrix, eine Selenschicht, eine dielektrische Schicht, eine obere Elektrode und eine Schutzschicht. Die Kollektormatrix besteht aus Dünnfilmtransistoren (TFTs), die in Array -Element -Weise angeordnet sind und für das Empfangen und Speichern von elektrischen Signalen verantwortlich sind, die durch die Selenschicht umgewandelt wurden. Die Selenschicht ist ein amorphes Selen -Halbleitermaterial, das durch Vakuumverdampfung einen dünnen Film von ungefähr 0,5 mm Dicke erzeugt. Es ist sehr empfindlich gegenüber Röntgenstrahlen und verfügt über eine hohe Bildauflösung.
Wenn Röntgenstrahlen erfasst werden, wird das elektrische Feld gebildet, das die obere Elektrode mit der Hochspannungsstromversorgung verbindet, führt dazu, dass die Röntgenstrahlen die Isolierschicht vertikal entlang der Richtung des elektrischen Feldes durchlaufen und die amorphe Selenschicht erreichen. Die amorphe Selenschicht wandelt direkt in elektrische Signale um, die im Speicherkondensator gespeichert sind. Anschließend schaltet der Pulse Control Gate Circuit den Dünnfilmtransistor ein und liefert die gespeicherte Ladung an den Ausgang des Ladungsverstärkers und vervollständigt die Umwandlung des photoelektrischen Signals. Nach weiteren Konvertierung durch einen digitalen Konverter wird ein digitales Bild gebildet und in einen Computer eingegeben, wodurch das Bild auf einem Monitor für die direkte Diagnose durch Ärzte wiederhergestellt wird.
Amorphes Silizium -Flachkapitor Detektor
Der amorphe Silicon Flat Panel Detector verwendet eine indirekte Umwandlungsmethode, und seine Grundstruktur umfasst eine Szintillator -Materialschicht, eine amorphe Silizium -Photodiodenschaltung und eine Ladungs -Lese -Kreislauf. Szintillationsmaterialien wie Cäsiumiodid oder Gadolinium oxysulfid befinden sich auf der Oberfläche des Detektors und sind für die Umwandlung abgeschwächter Röntgenstrahlen verantwortlich, die durch den menschlichen Körper in sichtbares Licht gelangen. Das amorphe Silizium-Photodioden-Array unter dem Szintillator wandelt sichtbares Licht in elektrische Signale um, und die gespeicherte Ladung jedes Pixels ist proportional zur Intensität des einfallenden Röntgens.
Unter der Aktion der Steuerkreis werden die gespeicherten Ladungen jedes Pixels gescannt und vorgelesen. Nach der A/D-Konvertierung werden digitale Signale ausgegeben und zur Bildverarbeitung an den Computer übertragen, wodurch Röntgenbilder digitale Röntgenbilder bilden.
Zusammenfassend gibt es Unterschiede in der Zusammensetzung und im Arbeitsprinzip zwischen amorphen Selen- und amorphen Flachdetektoren, die Röntgenstrahlen effizient in elektrische Signale umwandeln, digitale Bilder von hoher Qualität erzeugen und eine starke Unterstützung für die Diagnose der medizinischen Bildgebungsdiagnose bieten können.
(Referenzressourcen: https: //www.chongwuxguangji.com/info/muscle-3744.html)
Postzeit: Dezember 03-2024